Samsung Electronics Polska dział Memory wprowadza do sprzedaży dwie serie dysków sieciowych Data Center SSD
Samsung Memory Polska rozszerza swoje portfolio produktowe o dwie serie dysków wewnętrznych Data Center SSD. Do oferty weszły dyski sieciowe z linii PM893 oparte na technologii SATA oraz nośniki PM9A3, wykorzystujące rozwiązania NVMe.
Do dystrybucji w Polsce trafiły dyski serwerowe z linii Samsung Data Center SSD. To seria zaprojektowana z myślą o najbardziej wymagających zastosowaniach biznesowych i cechująca się wysoką wydajnością. Nośniki z dwóch wiodących serii koreańskiego producenta: PM893 oraz PM9A3 są już dostępne na polskim rynku.
Seria PM893 to dyski oparte na technologii SATA w formacie 2.5”. Nośniki dostępne są w pojemnościach od 240GB do 7,68TB. Cechuje je sekwencyjna prędkość odczytu do 550 MB/s i zapisu do 520 MB/s. Urządzenia wyróżnia również wysoka wydajność energetyczna oraz system kompleksowej ochrony danych.
Seria PM9A3 oferuje nośniki półprzewodnikowe, bazujące na interfejsie PCIe®4.0, które zapewniają prędkość zapisu do 4000/MB/s oraz do 6 900 MB/s sekwencyjnego odczytu. To produkty stworzone z myślą o wiodących centrach danych, wymagających najwyższej wydajności podczas przetwarzania plików. W Polsce nośniki z serii PM9A3 dostępne są w wariantach od 960GB do 7,68TB, w formacie 2,5”.
- Rozpoczęcie sprzedaży przez Samsung Electronics Polska dysków Data Center SSD to dla nas bardzo ważne wydarzenie. Po pierwsze chcemy zaadresować produktowo istotny i rosnący segment pamięci serwerowych, a po drugie zintensyfikować nasz rozwój w kanale B2B na rynku Polskim i w regionie CEE. Jednocześnie do naszego zespołu dołączył Marcin Szymanik, który dzięki swojemu doświadczeniu w branży memory rozwijać będzie sprzedaż produktów Samsung w szeroko rozumianym sektorze B2B - powiedział Maciej Kamiński, Dyrektor Dywizji Memory w Polsce i CEE.
Polskimi dystrybutorami rozwiązań są TD Synnex oraz AB S.A. Dyski sieciowe z linii Samsung Data Center SSD znajdą zastosowanie nie tylko w centrach danych, czy dużych serwerach, ale również w mniejszych sieciach serwerowych, instalowanych w instytucjach publicznych, bankach czy prywatnych firmach.
Więcej informacji na temat wprowadzonych do oferty produktów można znaleźć na: https://www.samsung.com/pl/memory-storage/dyski-ssd-data-center/.
Samsung SSD PM893 | |||||||||||||||||||||
Zastosowanie |
Data Center, Serwer | ||||||||||||||||||||
Interfejs |
SATA 6 Gb/s , kompatybilny z interfejsami SATA 3 Gb/s & 1.5 i | ||||||||||||||||||||
Informacje |
Pojemność[1] |
240GB |
480GB |
960GB |
1.92TB |
3.84TB |
7.68TB | ||||||||||||||
Kontroler |
Samsung in-house Controller | ||||||||||||||||||||
NAND Flash Memory |
Samsung V-NAND TLC | ||||||||||||||||||||
Wymiary |
100.20x 69.85x 7.0(mm) | ||||||||||||||||||||
Format |
2.5 cala | ||||||||||||||||||||
Wydajność (Do.)[2] |
Prędkość odczytu sekwencyjnego |
550 MB/s | |||||||||||||||||||
Prędkość zapisu sekwencyjnego[3] |
380 MB/s |
520 MB/s |
520 MB/s |
520 MB/s |
520 MB/s |
520 MB/s | |||||||||||||||
4KB Odczyt losowy (QD32) |
98K IOPS | ||||||||||||||||||||
4KB Zapis losowy (QD32) |
15K IOPS |
29K IOPS |
30K IOPS |
30K IOPS |
30K IOPS |
30K IOPS | |||||||||||||||
Pobór mocy ) |
Idle |
DIPM off |
1.5 W |
1.5 W |
1.5 W |
1.5 W |
1.5 W |
1.5 W | |||||||||||||
Średni pobór mocy |
Odczyt/Zapis |
2.1/2.7W |
2.1/3.2W |
2.2/3.2W |
2.2/3.2W |
2.2/3.2W |
2.2/3.2W | ||||||||||||||
Odporność [4] |
Temperatura |
Temperatura pracy |
0°C do 70°C | ||||||||||||||||||
Temperatura przechowywania |
-40°C do 85°C | ||||||||||||||||||||
Wilgotność |
5% do 95% bez kondensacji | ||||||||||||||||||||
Odporność na wstrząsy |
Nie posiada |
1,500G / 0.5ms, 3 axis | |||||||||||||||||||
Wibracje |
Nie posiada |
20~2,000Hz, 20G | |||||||||||||||||||
MTBF |
2.0 mln godzin | ||||||||||||||||||||
Gwarancja |
TBW[5] |
438TB |
876TB |
1,752TB |
3,504TB |
7,008TB |
14,016TB | ||||||||||||||
Okres gwarancji[6] |
Ograniczona 5-letnia | ||||||||||||||||||||
Funkcje specjalne |
TRIM (Required OS support), Garbage Collection, S.M.A.R.T | ||||||||||||||||||||
Szyfrowanie |
AES 256-bit Full Disk Encryption, TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive(IEEE1667) | ||||||||||||||||||||
Samsung SSD PM9A3 | ||||||||||||||||||
Zastosowanie |
Data Center, Server | |||||||||||||||||
Interfejs |
PCIe Express Gen4 x4, NVMe 1.4 | |||||||||||||||||
Informacje |
Pojemność 1) |
960GB |
1.92TB |
3.84TB |
7.68TB | |||||||||||||
Kontroler |
Samsung in-house Controller | |||||||||||||||||
NAND Flash Memory |
Samsung V-NAND TLC | |||||||||||||||||
Wymiary |
100.20x 69.85x 7.0(mm) | |||||||||||||||||
Format |
2.5 inch U.2 | |||||||||||||||||
Wydajność (Do.)2) |
Prędkość odczytu sekwencyjnego |
6,500 MB/s |
6,800 MB/s |
6,900 MB/s |
6,700 MB/s | |||||||||||||
Prędkość zapisu sekwencyjnego 3) |
1,500 MB/s |
2,700 MB/s |
4,100 MB/s |
4,000 MB/s | ||||||||||||||
4KB Odczyt losowy (QD32) |
580 KIOPS |
850 KIOPS |
1,000 KIOPS |
1,100 KIOPS | ||||||||||||||
4KB Zapis losowy(QD32) |
70 KIOPS |
130 KIOPS |
180 KIOPS |
200 KIOPS | ||||||||||||||
Średni pobór mocy 3) |
Idle |
DIPM off |
3.5 W |
3.5 W |
3.5 W |
3.5 W |
| |||||||||||
Średni pobór mocy (aktywny) |
Read/Write |
9.5/8.0W |
10.0/12.5W |
11.0/13.5W |
11.0/13.5W | |||||||||||||
Odporność4) |
Temp. |
Operating |
0°C to 70°C | |||||||||||||||
Non-Operating |
-40°C to 85°C | |||||||||||||||||
Humidity |
5% to 95% non-condensing | |||||||||||||||||
Odporność na wstrząsy |
Nie posiada |
1,500G, duration: 0.5ms, 3 axis | ||||||||||||||||
Wibracje |
Nie posiada |
20~2,000Hz, 20G | ||||||||||||||||
MTBF |
2.0 million hours | |||||||||||||||||
Gwarancja |
TBW5) |
1,752TB |
3,504TB |
7,008TB |
14,016TB | |||||||||||||
Okres gwarancji |
5 year limited | |||||||||||||||||
Funkcje specjalne |
TRIM (Required OS support), Garbage Collection, S.M.A.R.T | |||||||||||||||||
Szyfrowanie |
AES 256-bit Full Disk Encryption, TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive(IEEE1667) | |||||||||||||||||
[1] GB: 1 GB = 1 000 000 000 bajtów. Pewna część pojemności może być wykorzystana do plików systemowych i konserwacji, dlatego rzeczywista dostępna pojemność może różnić się od całkowitej pojemności podanej na etykiecie.
[2] Pomiary wydajności oparte są na FIO 2.7 z głębokością kolejki 32, portem Z170 Intel SATA 6G. Pomiary wykonywane są na całym zakresie LBA. Pamięć podręczna zapisu włączona. Rzeczywista wydajność może się różnić w zależności od warunków użytkowania i otoczenia
[3] Aktywna moc odczytu jest mierzona przy losowym odczycie 4 KB. Moc aktywnego zapisu jest mierzona przy losowym zapisie 4 KB.
[4] Wszystkie udokumentowane wyniki testów wytrzymałościowych uzyskano zgodnie z normami JESD218. Szczegółowe informacje na temat standardów JESD218 można znaleźć na stronie www.jedec.org
[5] TBW oznacza całkowitą liczbę zapisanych bajtów.
[6] Proszę zapoznać się ze szczegółowym oświadczeniem gwarancyjnym pod adresem http://samsung.com/samsungssd. Gwarancja obejmuje podany okres czasu lub TBW, w zależności od tego, co nastąpi wcześniej
kontakt dla mediów

Olaf Krynicki
o.krynicki@samsung.com
tel: +48 600 088 747
informacje o firmie
O firmie
Więcej informacji można znaleźć na stronach: https://news.samsung.com/pl/ oraz http://news.samsung.com.
kontakt dla mediów

Olaf Krynicki
o.krynicki@samsung.com
tel: +48 600 088 747
informacje o firmie
O firmie
Więcej informacji można znaleźć na stronach: https://news.samsung.com/pl/ oraz http://news.samsung.com.